部品型番 : | GP2M010A065H |
---|---|
メーカー/ブランド : | Global Power Technologies Group |
説明 : | MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220 |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 4867 pcs |
仕様書 | GP2M010A065H.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 820 mOhm @ 4.75A, 10V |
電力消費(最大) | 198W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
他の名前 | 1560-1208-1 1560-1208-1-ND 1560-1208-5 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1670pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 36nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
詳細な説明 | N-Channel 650V 9.5A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-220 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.5A (Tc) |