部品型番 : | GP2M012A080NG |
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メーカー/ブランド : | Global Power Technologies Group |
説明 : | MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 5013 pcs |
仕様書 | GP2M012A080NG.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 650 mOhm @ 6A, 10V |
電力消費(最大) | 416W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
他の名前 | 1560-1211-1 1560-1211-1-ND 1560-1211-5 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3370pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 79nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800V |
詳細な説明 | N-Channel 800V 12A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Tc) |