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GP2M008A060HG

部品型番 : GP2M008A060HG
メーカー/ブランド : Global Power Technologies Group
説明 : MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
RoHS ステータス : 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 5273 pcs
仕様書 GP2M008A060HG.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
電力消費(最大) 120W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-220-3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1063pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 23nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 7.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7.5A (Tc)
GP2M008A060HG
Global Power Technologies Group Global Power Technologies Group 画像は参照用です。 製品の詳細については、製品仕様を参照してください。 {Define:Sys_Domain}からGP2M008A060HGを自由に購入してください、私たちは1年間の保証を提供しています
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