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EPC2101ENG

部品型番 : EPC2101ENG
メーカー/ブランド : EPC
説明 : TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
RoHS ステータス : 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 3829 pcs
仕様書 EPC2101ENG.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 2mA
サプライヤデバイスパッケージ Die
シリーズ eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 11.5 mOhm @ 20A, 5V
電力 - 最大 -
パッケージング Tray
パッケージ/ケース Die
他の名前 917-EPC2101ENG
EPC2101ENGR_H5
EPC2101ENGRH5
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 300pF @ 30V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 2.7nC @ 5V
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長 GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
詳細な説明 Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9.5A, 38A
EPC2101ENG
EPC EPC 画像は参照用です。 製品の詳細については、製品仕様を参照してください。 {Define:Sys_Domain}からEPC2101ENGを自由に購入してください、私たちは1年間の保証を提供しています
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