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EPC2100ENG

部品型番 : EPC2100ENG
メーカー/ブランド : EPC
説明 : TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
RoHS ステータス : 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 5630 pcs
仕様書 EPC2100ENG.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
サプライヤデバイスパッケージ Die
シリーズ eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
電力 - 最大 -
パッケージング Tray
パッケージ/ケース Die
他の名前 917-EPC2100ENG
EPC2100ENGR_H1
EPC2100ENGRH1
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長 GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
詳細な説明 Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Ta), 40A (Ta)
EPC2100ENG
EPC EPC 画像は参照用です。 製品の詳細については、製品仕様を参照してください。 {Define:Sys_Domain}からEPC2100ENGを自由に購入してください、私たちは1年間の保証を提供しています
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