部品型番 : |
EPC2101 |
メーカー/ブランド : |
EPC |
説明 : |
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
RoHS ステータス : |
鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり |
6393 pcs |
仕様書 |
EPC2101.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) |
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
サプライヤデバイスパッケージ |
Die |
シリーズ |
eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) |
11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
電力 - 最大 |
- |
パッケージング |
Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース |
Die |
他の名前 |
917-1181-2 |
運転温度 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ |
Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) |
1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム |
14 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス |
Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds |
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs |
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
FETタイプ |
2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特長 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン |
60V |
詳細な説明 |
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) |
9.5A, 38A |