| 部品型番 : | UMB3NTN |
|---|---|
| メーカー/ブランド : | LAPIS Semiconductor |
| 説明 : | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 |
| RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 460445 pcs |
| 仕様書 | 1.UMB3NTN.pdf2.UMB3NTN.pdf |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 50V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 300mV @ 2.5mA, 5mA |
| トランジスタ型式 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| サプライヤデバイスパッケージ | UMT6 |
| シリーズ | - |
| 抵抗器ベース（R2） | - |
| 抵抗器 - ベース（R1） | 4.7 kOhms |
| 電力 - 最大 | 150mW |
| パッケージング | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 他の名前 | UMB3NTNCT |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション | 250MHz |
| 詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 100 @ 1mA, 5V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 500nA (ICBO) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 100mA |
| ベース部品番号 | MB3 |
