部品型番 : | UMB3NFHATN |
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メーカー/ブランド : | LAPIS Semiconductor |
説明 : | PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 543530 pcs |
仕様書 | 1.UMB3NFHATN.pdf2.UMB3NFHATN.pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 250µA, 5mA |
トランジスタ型式 | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | UMT6 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
電力 - 最大 | 150mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
他の名前 | UMB3NFHATNTR |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 7 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 250MHz |
詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 100 @ 1mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |