部品型番 : | TP65H050WS |
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メーカー/ブランド : | Transphorm |
説明 : | 650 V 34 A CASCODE GAN FET |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 2420 pcs |
仕様書 | TP65H050WS.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.8V @ 700µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 60 mOhm @ 22A, 10V |
電力消費(最大) | 119W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メーカーの標準リードタイム | 15 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1000pF @ 400V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 24nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
詳細な説明 | N-Channel 650V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 34A (Tc) |