| 部品型番 : | TP65H035WS |
|---|---|
| メーカー/ブランド : | Transphorm |
| 説明 : | 650 V 46.5 CASCODE GAN FET |
| RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 2033 pcs |
| 仕様書 | TP65H035WS.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.8V @ 700µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 41 mOhm @ 30A, 8V |
| 電力消費（最大） | 156W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 3 (168 Hours) |
| メーカーの標準リードタイム | 15 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1500pF @ 400V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 36nC @ 8V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650V |
| 詳細な説明 | N-Channel 650V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 46.5A (Tc) |
Transphorm
