部品型番 : | TC58NYG2S0HBAI4 |
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メーカー/ブランド : | Toshiba Memory America, Inc. |
説明 : | 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 7483 pcs |
仕様書 | TC58NYG2S0HBAI4.pdf |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 25ns |
電源電圧 - | 1.7 V ~ 1.95 V |
技術 | FLASH - NAND (SLC) |
サプライヤデバイスパッケージ | 63-TFBGA (9x11) |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | 63-VFBGA |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 4Gb (512M x 8) |
メモリインタフェース | - |
メモリ形式 | FLASH |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11) |