部品型番 : | TC58NYG1S3HBAI6 |
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メーカー/ブランド : | Toshiba Memory America, Inc. |
説明 : | IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 13413 pcs |
仕様書 | TC58NYG1S3HBAI6.pdf |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 25ns |
電源電圧 - | 1.7 V ~ 1.95 V |
技術 | FLASH - NAND (SLC) |
サプライヤデバイスパッケージ | 67-VFBGA (6.5x8) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 67-VFBGA |
他の名前 | TC58NYG1S3HBAI6JDH TC58NYG1S3HBAI6YCL |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 2Gb (256M x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | FLASH |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) |
アクセス時間 | 25ns |