部品型番 : | R6035ENZC8 |
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メーカー/ブランド : | LAPIS Semiconductor |
説明 : | MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 9444 pcs |
仕様書 | R6035ENZC8.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PF |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 102 mOhm @ 18.1A, 10V |
電力消費(最大) | 120W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-3P-3 Full Pack |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 17 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2720pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 110nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600V |
詳細な説明 | N-Channel 600V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 35A (Tc) |