| 部品型番 : | R6035ENZ1C9 |
|---|---|
| メーカー/ブランド : | LAPIS Semiconductor |
| 説明 : | MOSFET N-CH 600V 35A TO247 |
| RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 11112 pcs |
| 仕様書 | R6035ENZ1C9.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 102 mOhm @ 18.1A, 10V |
| 電力消費（最大） | 120W (Tc) |
| パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 17 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2720pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600V |
| 詳細な説明 | N-Channel 600V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Tc) |
LAPIS Semiconductor
