まずページプロダクトセンター集積回路 (ic)メモリIS61NVP51236B-200B3LI

IS61NVP51236B-200B3LI

部品型番 :	IS61NVP51236B-200B3LI
メーカー/ブランド :	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
説明 :	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
RoHS ステータス :	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	2598 pcs
仕様書	IS61NVP51236B-200B3LI.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	-
電源電圧 -	2.375 V ~ 2.625 V
技術	SRAM - Synchronous
サプライヤデバイスパッケージ	165-TFBGA (13x15)
シリーズ	-
パッケージング	Tray
パッケージ/ケース	165-TBGA
運転温度	-40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	3 (168 Hours)
メモリタイプ	Volatile
記憶容量	18Mb (512K x 36)
メモリインタフェース	Parallel
メモリ形式	SRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明	SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3ns 165-TFBGA (13x15)
クロック周波数	200MHz
アクセス時間	3ns

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) 画像は参照用です。製品の詳細については、製品仕様を参照してください。 {Define：Sys_Domain}からIS61NVP51236B-200B3LIを自由に購入してください、私たちは1年間の保証を提供しています

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