部品型番 : | IS61NVP51236B-200B3I-TR |
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メーカー/ブランド : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
説明 : | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 5941 pcs |
仕様書 | IS61NVP51236B-200B3I-TR.pdf |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
電源電圧 - | 2.375 V ~ 2.625 V |
技術 | SRAM - Synchronous |
サプライヤデバイスパッケージ | 165-TFBGA (13x15) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 165-TBGA |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 18Mb (512K x 36) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | SRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3ns 165-TFBGA (13x15) |
クロック周波数 | 200MHz |
アクセス時間 | 3ns |