部品型番 : | ZXMN3G32DN8TA |
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メーカー/ブランド : | Diodes Incorporated |
説明 : | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 57007 pcs |
仕様書 | ZXMN3G32DN8TA.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 28 mOhm @ 6A, 10V |
電力 - 最大 | 1.8W |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | 1034-ZXMN3G32DN8CT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 26 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 472pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10.5nC @ 10V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.5A |