部品型番 : | TPH3205WSBQA |
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メーカー/ブランド : | Transphorm |
説明 : | MOSFET N-CH 650V 35A TO247 |
RoHS ステータス : | |
在庫あり | 1591 pcs |
仕様書 | 1.TPH3205WSBQA.pdf2.TPH3205WSBQA.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 700µA |
Vgs(最大) | ±18V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 62 mOhm @ 22A, 8V |
電力消費(最大) | 125W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 6 Weeks |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2200pF @ 400V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 42nC @ 8V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
詳細な説明 | N-Channel 650V 35A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 35A (Tc) |