部品型番 : | TH58BYG2S3HBAI4 |
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メーカー/ブランド : | Toshiba Memory America, Inc. |
説明 : | 4G SLC NAND BGA 24NM |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 5188 pcs |
仕様書 | |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
電源電圧 - | - |
技術 | FLASH - NAND (SLC) |
サプライヤデバイスパッケージ | 63-TFBGA (9x11) |
シリーズ | Benand™ |
パッケージ/ケース | 63-VFBGA |
運転温度 | -40°C ~ 85°C |
装着タイプ | Surface Mount |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 4Gb (512M x 8) |
メモリインタフェース | - |
メモリ形式 | FLASH |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11) |