部品型番 : | SUP85N10-10-GE3 |
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メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
説明 : | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 7448 pcs |
仕様書 | 1.SUP85N10-10-GE3.pdf2.SUP85N10-10-GE3.pdf |
電圧 - テスト | 6550pF @ 25V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 10.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs(最大) | 4.5V, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | TrenchFET® |
RoHSステータス | Digi-Reel® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 85A (Tc) |
偏光 | TO-220-3 |
他の名前 | SUP85N10-10-GE3DKR |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks |
製造元の部品番号 | SUP85N10-10-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 160nC @ 10V |
IGBTタイプ | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100V |
静電容量比 | 3.75W (Ta), 250W (Tc) |