| 部品型番 : | SUM110N04-2M1P-E3 |
|---|---|
| メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
| 説明 : | MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK |
| RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 11501 pcs |
| 仕様書 | SUM110N04-2M1P-E3.pdf |
| 電圧 - テスト | 18800pF @ 20V |
| 電圧 - ブレークダウン | TO-263 (D2Pak) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs（最大） | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | TrenchFET® |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 29A (Ta), 110A (Tc) |
| 偏光 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 他の名前 | SUM110N04-2M1P-E3-ND SUM110N04-2M1P-E3TR |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks |
| 製造元の部品番号 | SUM110N04-2M1P-E3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360nC @ 10V |
| IGBTタイプ | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 40V 29A (Ta), 110A (Tc) 3.13W (Ta), 312W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 40V 29A D2PAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40V |
| 静電容量比 | 3.13W (Ta), 312W (Tc) |
Vishay Siliconix
