部品型番 : |
SUD50P10-43L-GE3 |
メーカー/ブランド : |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
説明 : |
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 |
RoHS ステータス : |
鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり |
24295 pcs |
仕様書 |
1.SUD50P10-43L-GE3.pdf2.SUD50P10-43L-GE3.pdf3.SUD50P10-43L-GE3.pdf4.SUD50P10-43L-GE3.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) |
3V @ 250µA |
Vgs(最大) |
±20V |
技術 |
MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ |
TO-252 |
シリーズ |
TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) |
43 mOhm @ 9.2A, 10V |
電力消費(最大) |
8.3W (Ta), 136W (Tc) |
パッケージング |
Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前 |
SUD50P10-43L-GE3CT |
運転温度 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ |
Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) |
1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム |
33 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス |
Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds |
4600pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs |
160nC @ 10V |
FETタイプ |
P-Channel |
FET特長 |
- |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) |
4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン |
100V |
詳細な説明 |
P-Channel 100V 37.1A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) |
37.1A (Tc) |