部品型番 : | STB10N60M2 |
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メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
説明 : | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 30237 pcs |
仕様書 | STB10N60M2.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
シリーズ | MDmesh™ II Plus |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 600 mOhm @ 3A, 10V |
電力消費(最大) | 85W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前 | 497-14528-2 STB10N60M2-ND |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 42 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 400pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13.5nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600V |
詳細な説明 | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7.5A (Tc) |
ベース部品番号 | STB10N60 |