部品型番 : | SQJ431EP-T1_GE3 |
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メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
説明 : | MOSFET P-CHAN 200V SO8L |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 45922 pcs |
仕様書 | SQJ431EP-T1_GE3.pdf |
電圧 - テスト | 4355pF @ 25V |
電圧 - ブレークダウン | PowerPAK® SO-8 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 213 mOhm @ 1A, 4V |
Vgs(最大) | 6V, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12A (Tc) |
偏光 | PowerPAK® SO-8 |
他の名前 | SQJ431EP-T1_GE3TR |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 18 Weeks |
製造元の部品番号 | SQJ431EP-T1_GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 160nC @ 10V |
IGBTタイプ | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3.5V @ 250µA |
FET特長 | P-Channel |
拡張された説明 | P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | MOSFET P-CHAN 200V SO8L |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200V |
静電容量比 | 83W (Tc) |