部品型番 : | SIHP28N65E-GE3 |
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メーカー/ブランド : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
説明 : | MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB |
RoHS ステータス : | |
在庫あり | 10695 pcs |
仕様書 | SIHP28N65E-GE3.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 112 mOhm @ 14A, 10V |
電力消費(最大) | 250W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3405pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 140nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
詳細な説明 | N-Channel 650V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 29A (Tc) |