部品型番 : | SIHF12N65E-GE3 |
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メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
説明 : | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 24951 pcs |
仕様書 | SIHF12N65E-GE3.pdf |
電圧 - テスト | 1224pF @ 100V |
電圧 - ブレークダウン | TO-220 Full Pack |
同上@ VGS(TH)(最大) | 380 mOhm @ 6A, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | - |
RoHSステータス | Bulk |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12A (Tc) |
偏光 | TO-220-3 Full Pack |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 19 Weeks |
製造元の部品番号 | SIHF12N65E-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 70nC @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 650V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 650V |
静電容量比 | 33W (Tc) |