| 部品型番 : | SIE810DF-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
| 説明 : | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK |
| RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 21421 pcs |
| 仕様書 | SIE810DF-T1-E3.pdf |
| 電圧 - テスト | 13000pF @ 10V |
| 電圧 - ブレークダウン | 10-PolarPAK® (L) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | TrenchFET® |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60A (Tc) |
| 偏光 | 10-PolarPAK® (L) |
| 他の名前 | SIE810DF-T1-E3TR SIE810DFT1E3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks |
| 製造元の部品番号 | SIE810DF-T1-E3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300nC @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2V @ 250µA |
| FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20V |
| 静電容量比 | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Vishay Siliconix
