部品型番 : | SIA421DJ-T1-GE3 |
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メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
説明 : | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 82867 pcs |
仕様書 | SIA421DJ-T1-GE3.pdf |
電圧 - テスト | 950pF @ 15V |
電圧 - ブレークダウン | PowerPAK® SC-70-6 Single |
同上@ VGS(TH)(最大) | 35 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs(最大) | 4.5V, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | TrenchFET® |
RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12A (Tc) |
偏光 | PowerPAK® SC-70-6 |
他の名前 | SIA421DJ-T1-GE3TR SIA421DJT1GE3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks |
製造元の部品番号 | SIA421DJ-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 29nC @ 10V |
IGBTタイプ | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3V @ 250µA |
FET特長 | P-Channel |
拡張された説明 | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30V |
静電容量比 | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |