部品型番 : | SI8435DB-T1-E1 |
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メーカー/ブランド : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
説明 : | MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 5280 pcs |
仕様書 | SI8435DB-T1-E1.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±5V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-Microfoot |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 41 mOhm @ 1A, 4.5V |
電力消費(最大) | 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 4-XFBGA, CSPBGA |
他の名前 | SI8435DB-T1-E1TR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1600pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 35nC @ 5V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | P-Channel 20V 10A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Tc) |