部品型番 : | SI7860ADP-T1-GE3 |
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メーカー/ブランド : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
説明 : | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 5133 pcs |
仕様書 | SI7860ADP-T1-GE3.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.5 mOhm @ 16A, 10V |
電力消費(最大) | 1.8W (Ta) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 18nC @ 4.5V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | N-Channel 30V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11A (Ta) |