部品型番 : | SI7326DN-T1-GE3 |
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メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
説明 : | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 92408 pcs |
仕様書 | SI7326DN-T1-GE3.pdf |
電圧 - テスト | - |
電圧 - ブレークダウン | PowerPAK® 1212-8 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | TrenchFET® |
RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6.5A (Ta) |
偏光 | PowerPAK® 1212-8 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 15 Weeks |
製造元の部品番号 | SI7326DN-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 13nC @ 5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1.8V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30V |
静電容量比 | 1.5W (Ta) |