| 部品型番 : | SI5920DC-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー/ブランド : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 説明 : | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
| RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 4349 pcs |
| 仕様書 | SI5920DC-T1-GE3.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 3.12W |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| 他の名前 | SI5920DC-T1-GE3TR |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 680pF @ 4V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12nC @ 5V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 8V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A |
| ベース部品番号 | SI5920 |
Electro-Films (EFI) / Vishay
