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SI5903DC-T1-GE3

部品型番 : SI5903DC-T1-GE3
メーカー/ブランド : Electro-Films (EFI) / Vishay
説明 : MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
RoHS ステータス : 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 5678 pcs
仕様書 SI5903DC-T1-GE3.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 600mV @ 250µA (Min)
サプライヤデバイスパッケージ 1206-8 ChipFET™
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V
電力 - 最大 1.1W
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 6nC @ 4.5V
FETタイプ 2 P-Channel (Dual)
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20V
詳細な説明 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.1A
ベース部品番号 SI5903
SI5903DC-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay 画像は参照用です。 製品の詳細については、製品仕様を参照してください。 {Define:Sys_Domain}からSI5903DC-T1-GE3を自由に購入してください、私たちは1年間の保証を提供しています
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