部品型番 : | SI5513CDC-T1-GE3 |
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メーカー/ブランド : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
説明 : | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 144369 pcs |
仕様書 | SI5513CDC-T1-GE3.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
電力 - 最大 | 3.1W |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
他の名前 | SI5513CDC-T1-GE3TR SI5513CDCT1GE3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 285pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.2nC @ 5V |
FETタイプ | N and P-Channel |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A, 3.7A |
ベース部品番号 | SI5513 |