部品型番 : | SI4922BDY-T1-GE3 |
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メーカー/ブランド : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
説明 : | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 39052 pcs |
仕様書 | SI4922BDY-T1-GE3.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.8V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 16 mOhm @ 5A, 10V |
電力 - 最大 | 3.1W |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | SI4922BDY-T1-GE3-ND SI4922BDY-T1-GE3TR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 33 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2070pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 62nC @ 10V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長 | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A |
ベース部品番号 | SI4922 |