| 部品型番 : | SI2342DS-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
| 説明 : | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
| RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 232962 pcs |
| 仕様書 | SI2342DS-T1-GE3.pdf |
| 電圧 - テスト | 1070pF @ 4V |
| 電圧 - ブレークダウン | SOT-23 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 17 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
| Vgs（最大） | 1.2V, 4.5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | TrenchFET® |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6A (Tc) |
| 偏光 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 他の名前 | SI2342DS-T1-GE3-ND SI2342DS-T1-GE3TR |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 24 Weeks |
| 製造元の部品番号 | SI2342DS-T1-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 15.8nC @ 4.5V |
| IGBTタイプ | ±5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 800mV @ 250µA |
| FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 8V 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8V |
| 静電容量比 | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
