部品型番 : | SCT3120ALGC11 |
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メーカー/ブランド : | LAPIS Semiconductor |
説明 : | MOSFET NCH 650V 21A TO247N |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 5101 pcs |
仕様書 | 1.SCT3120ALGC11.pdf2.SCT3120ALGC11.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5.6V @ 3.33mA |
Vgs(最大) | +22V, -4V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247N |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 156 mOhm @ 6.7A, 18V |
電力消費(最大) | 103W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
運転温度 | 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 460pF @ 500V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 38nC @ 18V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 18V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
詳細な説明 | N-Channel 650V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21A (Tc) |