部品型番 : | RN2318(TE85L,F) |
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メーカー/ブランド : | Toshiba Semiconductor and Storage |
説明 : | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 1306212 pcs |
仕様書 | RN2318(TE85L,F).pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 250µA, 5mA |
トランジスタ型式 | PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ | USM |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 10 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 47 kOhms |
電力 - 最大 | 100mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 |
他の名前 | RN2318(TE85LF) RN2318(TE85LF)-ND RN2318(TE85LF)TR RN2318TE85LF |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 200MHz |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 50 @ 10mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
ベース部品番号 | RN231* |