部品型番 : | RN1909FE(TE85L,F) |
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メーカー/ブランド : | Toshiba Semiconductor and Storage |
説明 : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 390171 pcs |
仕様書 | RN1909FE(TE85L,F).pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 250µA, 5mA |
トランジスタ型式 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | ES6 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 22 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 47 kOhms |
電力 - 最大 | 100mW |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
他の名前 | RN1909FE(TE85LF)CT |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 250MHz |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 70 @ 10mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |