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RGW60TS65DGC11

部品型番 : RGW60TS65DGC11
メーカー/ブランド : LAPIS Semiconductor
説明 : 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
RoHS ステータス : 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 12898 pcs
仕様書 RGW60TS65DGC11.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 650V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) 1.9V @ 15V, 30A
試験条件 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃ 37ns/114ns
エネルギーの切り替え 480µJ (on), 490µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247N
シリーズ -
逆回復時間(trrの) 92ns
電力 - 最大 178W
パッケージ/ケース TO-247-3
運転温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 15 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ Standard
IGBTタイプ Trench Field Stop
ゲートチャージ 84nC
詳細な説明 IGBT Trench Field Stop 650V 60A 178W Through Hole TO-247N
電流 - コレクタパルス(ICM) 120A
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 60A
RGW60TS65DGC11
LAPIS Semiconductor LAPIS Semiconductor 画像は参照用です。 製品の詳細については、製品仕様を参照してください。 {Define:Sys_Domain}からRGW60TS65DGC11を自由に購入してください、私たちは1年間の保証を提供しています
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