部品型番 : | NTD5865N-1G |
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メーカー/ブランド : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
説明 : | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 4566 pcs |
仕様書 | NTD5865N-1G.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 18 mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 71W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前 | NTD5865N-1G-ND NTD5865N-1GOS |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1261pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 23nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
詳細な説明 | N-Channel 60V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 43A (Tc) |