部品型番 : | NTB5605PT4G |
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メーカー/ブランド : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
説明 : | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 44201 pcs |
仕様書 | NTB5605PT4G.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 140 mOhm @ 8.5A, 5V |
電力消費(最大) | 88W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前 | NTB5605PT4G-ND NTB5605PT4GOSTR |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 28 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1190pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 22nC @ 5V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
詳細な説明 | P-Channel 60V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18.5A (Ta) |