部品型番 : | NSVMUN5133DW1T1G |
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メーカー/ブランド : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
説明 : | TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6 |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 332017 pcs |
仕様書 | NSVMUN5133DW1T1G.pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 250mV @ 300µA, 10mA |
トランジスタ型式 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
抵抗器ベース(R2) | 47 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 4.7 kOhms |
電力 - 最大 | 250mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 40 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | - |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 80 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |