部品型番 : | NCV5183DR2G |
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メーカー/ブランド : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
説明 : | IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 29655 pcs |
仕様書 | NCV5183DR2G.pdf |
電源電圧 - | 9 V ~ 18 V |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
シリーズ | Automotive, AEC-Q100 |
立上り/立下り時間(Typ) | 12ns, 12ns |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | NCV5183DR2GOSTR |
運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
入力周波数 | 2 |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 26 Weeks |
ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.2V, 2.5V |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力タイプ | Non-Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 600V |
ゲートタイプ | N-Channel MOSFET |
駆動構成 | Half-Bridge |
詳細な説明 | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 4.3A, 4.3A |
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) | Independent |