部品型番 : |
MUN5332DW1T1G |
メーカー/ブランド : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
説明 : |
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
RoHS ステータス : |
鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり |
5692 pcs |
仕様書 |
MUN5332DW1T1G.pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) |
50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) |
250mV @ 1mA, 10mA |
トランジスタ型式 |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
シリーズ |
- |
抵抗器ベース(R2) |
4.7 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) |
4.7 kOhms |
電力 - 最大 |
250mW |
パッケージング |
Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
装着タイプ |
Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) |
1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス |
Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション |
- |
詳細な説明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) |
15 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大) |
500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) |
100mA |
ベース部品番号 |
MUN53**DW1 |