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MUN5113DW1T1G

部品型番 : MUN5113DW1T1G
メーカー/ブランド : ON Semiconductor
説明 : TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
RoHS ステータス : 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 1001518 pcs
仕様書 MUN5113DW1T1G.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 100mA
電圧 - ブレークダウン SC-88/SC70-6/SOT-363
IB、IC @ Vce飽和(最大) 50V
シリーズ -
RoHSステータス Tape & Reel (TR)
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム) 47k
抵抗 - ベース(R1)(オーム) -
電力 - 最大 250mW
偏光 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前 MUN5113DW1T1G-ND
MUN5113DW1T1GOSTR
ノイズ指数(F @デシベル標準) 47k
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
製造元の部品番号 MUN5113DW1T1G
周波数 - トランジション 80 @ 5mA, 10V
拡張された説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
説明 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 500nA
電流 - コレクタ遮断(最大) 250mV @ 300µA, 10mA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
MUN5113DW1T1G
ON Semiconductor ON Semiconductor 画像は参照用です。 製品の詳細については、製品仕様を参照してください。 {Define:Sys_Domain}からMUN5113DW1T1Gを自由に購入してください、私たちは1年間の保証を提供しています
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