部品型番 : |
MMUN2131LT1G |
メーカー/ブランド : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
説明 : |
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
RoHS ステータス : |
鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり |
4200 pcs |
仕様書 |
MMUN2131LT1G.pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) |
50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) |
250mV @ 5mA, 10mA |
トランジスタ型式 |
PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ |
SOT-23-3 (TO-236) |
シリーズ |
- |
抵抗器ベース(R2) |
2.2 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) |
2.2 kOhms |
電力 - 最大 |
246mW |
パッケージング |
Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
装着タイプ |
Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) |
1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス |
Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) |
8 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大) |
500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) |
100mA |
ベース部品番号 |
MMUN21**L |