部品型番 : | IXFX120N20 |
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メーカー/ブランド : | IXYS Corporation |
説明 : | MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247 |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 2240 pcs |
仕様書 | IXFX120N20.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 8mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PLUS247™-3 |
シリーズ | HiPerFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17 mOhm @ 60A, 10V |
電力消費(最大) | 560W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
他の名前 | IFX120N20 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9100pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 300nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200V |
詳細な説明 | N-Channel 200V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |