部品型番 : | IRFIBF30GPBF |
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メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
説明 : | MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 17577 pcs |
仕様書 | IRFIBF30GPBF.pdf |
電圧 - テスト | 1200pF @ 25V |
電圧 - ブレークダウン | TO-220-3 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.7 Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs(最大) | 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | - |
RoHSステータス | Tube |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.9A (Tc) |
偏光 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
他の名前 | *IRFIBF30GPBF |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 11 Weeks |
製造元の部品番号 | IRFIBF30GPBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 78nC @ 10V |
IGBTタイプ | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 900V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 900V |
静電容量比 | 35W (Tc) |