部品型番 : | FQPF33N10L |
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メーカー/ブランド : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
説明 : | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F |
RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 54527 pcs |
仕様書 | FQPF33N10L.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 52 mOhm @ 9A, 10V |
電力消費(最大) | 41W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
他の名前 | FQPF33N10L-ND FQPF33N10LFS |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 5 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1630pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 40nC @ 5V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
詳細な説明 | N-Channel 100V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Tc) |